Deutsch

Vogt, Alexander ; Simon, A. ; Hartnagel, H. L. ; Schikora, J. ; Buschmann, V. ; Rodewald, M. ; Fuess, H. ; Fascko, S. ; Kurz, H. (1998)
Ohmsche Kontakte des Systems Pd/Ge/Au auf n-GaSb.
Konferenzveröffentlichung, Bibliographie

Englisch

Lemme, M. C. ; Gottlob, H. D. B. ; Echtermeyer, T. ; Kurz, H. ; Endres, Ralf ; Schwalke, Udo ; Czernohorsky, M. ; Osten, H. J. (2009)
Complementary Metal Oxide Semiconductor Integration of Epitaxial Gd2O3.
In: Journal of Vacuum Science & Technology B, 27 (1)
Artikel, Bibliographie

Lemme, M. C. ; Gottlob, H. D. B. ; Echtermeyer, T. ; Kurz, H. ; Endres, Ralf ; Schwalke, Udo ; Czernohorsky, M. ; Osten, H. J. (2008)
CMOS Integration of Epitaxial Gd2O3.
15th Workshop on Dielectrics in Microelectronics (WoDiM). Bad Saarow, Deutschland (23.06.2008-25.06.2008)
Konferenzveröffentlichung, Bibliographie

Gottlob, H. D. B. ; Echtermeyer, T. ; Mollenhauer, T. ; Schmidt, M. ; Efavi, J. ; Wahlbrink, T. ; Lemme, L. M. ; Kurz, H. ; Endres, Ralf ; Stefanov, Yordan ; Schwalke, Udo ; Czernohorsky, M. ; Bugiel, E. ; Fissel, A. ; Osten, H. J. (2006)
Approaches to CMOS Integration of Epitaxial Gadolinium Oxide High-K Dielectrics.
In: Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC)
Artikel, Bibliographie

Gottlob, H. D. B. ; Lemme, M. C. ; Mollenhauer, T. ; Wahlbrink, T. ; Efavi, J. K. ; Kurz, H. ; Stefanov, Yordan ; Haberle, Klaus ; Komaragiri, Rama Subrahmanyam ; Ruland, Tino ; Zaunert, Florian ; Schwalke, Udo (2005)
Introduction of Crystalline High-k Gate Dielectrics in a CMOS Process.
In: Journal of Non-Crystalline Solids, 351 (21-23)
Artikel, Bibliographie

Facsko, S. ; Dekorsy, T. ; Trappe, C. ; Kurz, H. ; Vogt, Alexander ; Hartnagel, H. L. (1999)
Formation of ordered nanoscale semiconductor dots by ion sputtering.
In: American Association for Advance of Science, 285
Artikel, Bibliographie

Vogt, Alexander ; Simon, A. ; Hartnagel, H. L. ; Schikora, J. ; Buschmann, V. ; Rodewald, M. ; Fuess, H. ; Fascko, S. ; Koerdt, C. ; Kurz, H. (1998)
Ohmic contact formation mechanics of the PdGeAu system on n-type GaSb grown by molecular beam epitaxy.
In: Journal of Applied Physics, 83 (12)
Artikel, Bibliographie