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Anzahl der Einträge: 8.

Zaunert, Florian :
Simulation und vergleichende elektrische Bewertung von planaren und 3D-MOS-Strukturen mit high-k Gate-Dielektrika.
[Online-Edition: urn:nbn:de:tuda-tuprints-19784]
Darmstädter Dissertationen , Darmstadt, Deutschland
[Dissertation], (2009)

Endres, Ralf ; Stefanov, Yordan ; Wessely, Frank ; Zaunert, Florian ; Schwalke, Udo :
Process Damage-free Damascene Metal Gate Technology for Gentle Integration of Epitaxially Grown High-K.
[Online-Edition: http://dx.doi.org/10.1016/j.mee.2007.03.008]
In: Microelectronic Engineering, 85 (1) S. 15-19.
[Artikel] , (2008)

Zaunert, Florian ; Endres, Ralf ; Schwalke, Udo :
Device and Stress Simulation of MOSFETs with Crystalline High-k Gate-Dielectrics Manufactured with Replacement Gate Process.
[Online-Edition: http://www.stw.nl/NR/rdonlyres/298C269E-5F75-46AC-875E-ACF93...]
In: Proceedings of Semiconductor Advances for Future Electronics (SAFE) 2007 S. 488-491.
[Artikel] , (2007)

Zaunert, Florian ; Endres, Ralf ; Stefanov, Yordan ; Schwalke, Udo :
Evaluation of MOSFETs with Crystalline High-K Gate-Dielectrics: Device Simulation and Experimental Data.
[Online-Edition: http://www.nit.eu/czasopisma/JTIT/2007/2/78.pdf]
In: Journal of Telecommunications and Technology, 2 S. 78-85.
[Artikel] , (2007)

Endres, Ralf ; Stefanov, Yordan ; Wessely, Frank ; Zaunert, Florian ; Schwalke, Udo :
Process Damage-Free Damascene Metal Gate Technology for Gentle Integration of Epitaxially Grown High-K Gate Dielectrics.
In: 3rd International Symposium on Advanced Gate Stack Technology (ISAGST), 27.-29.09.2006, Austin, TX, USA.
[ Konferenzveröffentlichung] , (2006)

Zaunert, Florian ; Endres, Ralf ; Stefanov, Yordan ; Schwalke, Udo :
Evaluation of MOSFETs with Crystalline High-k Gate-dielectrics: Device Simulation and Experimental Data.
In: 7th Symposium Diagnostics & Yield - Advanced Silicon Devices and Technologies for ULSI Era, 25.-28.06.2006, Warschau, Polen.
[ Konferenzveröffentlichung] , (2006)

Gottlob, H. D. B. ; Lemme, M. C. ; Mollenhauer, T. ; Wahlbrink, T. ; Efavi, J. K. ; Kurz, H. ; Stefanov, Yordan ; Haberle, Klaus ; Komaragiri, Rama Subrahmanyam ; Ruland, Tino ; Zaunert, Florian ; Schwalke, Udo :
Introduction of Crystalline High-k Gate Dielectrics in a CMOS Process.
[Online-Edition: http://dx.doi.org/10.1016/j.jnoncrysol.2005.04.032]
In: Journal of Non-Crystalline Solids, 351 (21-23) S. 1885-1889.
[Artikel] , (2005)

Komaragiri, Rama Subrahmanyam ; Zaunert, Florian ; Schwalke, Udo :
Gate Engineering for High-K Dielectric and Ultra-thin Gate Oxide CMOS.
In: 11th Annual Workshop on Semiconductor Advances for Future Electronics (SAFE), 24.-25.11.2004, Veldhoven, Niederlande.
[ Konferenzveröffentlichung] , (2004)

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