Gottlob, H. D. B. ; Lemme, M. C. ; Mollenhauer, T. ; Wahlbrink, T. ; Efavi, J. K. ; Kurz, H. ; Stefanov, Yordan ; Haberle, Klaus ; Komaragiri, Rama Subrahmanyam ; Ruland, Tino ; Zaunert, Florian ; Schwalke, Udo (2005)
Introduction of Crystalline High-k Gate Dielectrics in a CMOS Process.
In: Journal of Non-Crystalline Solids, 351 (21-23)
Artikel, Bibliographie
| Typ des Eintrags: | Artikel |
|---|---|
| Erschienen: | 2005 |
| Autor(en): | Gottlob, H. D. B. ; Lemme, M. C. ; Mollenhauer, T. ; Wahlbrink, T. ; Efavi, J. K. ; Kurz, H. ; Stefanov, Yordan ; Haberle, Klaus ; Komaragiri, Rama Subrahmanyam ; Ruland, Tino ; Zaunert, Florian ; Schwalke, Udo |
| Art des Eintrags: | Bibliographie |
| Titel: | Introduction of Crystalline High-k Gate Dielectrics in a CMOS Process |
| Sprache: | Englisch |
| Publikationsjahr: | Juli 2005 |
| Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | Journal of Non-Crystalline Solids |
| Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: | 351 |
| (Heft-)Nummer: | 21-23 |
| URL / URN: | http://dx.doi.org/10.1016/j.jnoncrysol.2005.04.032 |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik |
| Hinterlegungsdatum: | 20 Nov 2008 08:24 |
| Letzte Änderung: | 20 Feb 2020 13:24 |
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