Gottlob, H. D. B. ; Lemme, M. C. ; Mollenhauer, T. ; Wahlbrink, T. ; Efavi, J. K. ; Kurz, H. ; Stefanov, Yordan ; Haberle, Klaus ; Komaragiri, Rama Subrahmanyam ; Ruland, Tino ; Zaunert, Florian ; Schwalke, Udo
:
Introduction of Crystalline High-k Gate Dielectrics in a CMOS Process.
[Online-Edition: http://dx.doi.org/10.1016/j.jnoncrysol.2005.04.032]
In:
Journal of Non-Crystalline Solids, 351
(21-23)
pp. 1885-1889.
[Artikel], (2005)
Offizielle URL: http://dx.doi.org/10.1016/j.jnoncrysol.2005.04.032
| Typ des Eintrags: | Artikel |
|---|---|
| Erschienen: | 2005 |
| Autor(en): | Gottlob, H. D. B. ; Lemme, M. C. ; Mollenhauer, T. ; Wahlbrink, T. ; Efavi, J. K. ; Kurz, H. ; Stefanov, Yordan ; Haberle, Klaus ; Komaragiri, Rama Subrahmanyam ; Ruland, Tino ; Zaunert, Florian ; Schwalke, Udo |
| Titel: | Introduction of Crystalline High-k Gate Dielectrics in a CMOS Process |
| Sprache: | Englisch |
| Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | Journal of Non-Crystalline Solids |
| Band: | 351 |
| (Heft-)Nummer: | 21-23 |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik |
| Hinterlegungsdatum: | 20 Nov 2008 08:24 |
| Offizielle URL: | http://dx.doi.org/10.1016/j.jnoncrysol.2005.04.032 |
| Export: |
Optionen (nur für Redakteure)
 |
Eintrag anzeigen |
Drucken
Impressum