TU Darmstadt / ULB / TUbiblio

Introduction of Crystalline High-k Gate Dielectrics in a CMOS Process

Gottlob, H. D. B. ; Lemme, M. C. ; Mollenhauer, T. ; Wahlbrink, T. ; Efavi, J. K. ; Kurz, H. ; Stefanov, Yordan ; Haberle, Klaus ; Komaragiri, Rama Subrahmanyam ; Ruland, Tino ; Zaunert, Florian ; Schwalke, Udo :
Introduction of Crystalline High-k Gate Dielectrics in a CMOS Process.
[Online-Edition: http://dx.doi.org/10.1016/j.jnoncrysol.2005.04.032]
In: Journal of Non-Crystalline Solids, 351 (21-23) pp. 1885-1889.
[Artikel], (2005)

Offizielle URL: http://dx.doi.org/10.1016/j.jnoncrysol.2005.04.032
Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 2005
Autor(en): Gottlob, H. D. B. ; Lemme, M. C. ; Mollenhauer, T. ; Wahlbrink, T. ; Efavi, J. K. ; Kurz, H. ; Stefanov, Yordan ; Haberle, Klaus ; Komaragiri, Rama Subrahmanyam ; Ruland, Tino ; Zaunert, Florian ; Schwalke, Udo
Titel: Introduction of Crystalline High-k Gate Dielectrics in a CMOS Process
Sprache: Englisch
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: Journal of Non-Crystalline Solids
Band: 351
(Heft-)Nummer: 21-23
Fachbereich(e)/-gebiet(e): Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik
Hinterlegungsdatum: 20 Nov 2008 08:24
Offizielle URL: http://dx.doi.org/10.1016/j.jnoncrysol.2005.04.032
Export:

Optionen (nur für Redakteure)

Eintrag anzeigen Eintrag anzeigen