| Typ des Eintrags: |
Artikel
|
| Erschienen: |
1998 |
| Autor(en): |
Vogt, Alexander ; Simon, A. ; Hartnagel, H. L. ; Schikora, J. ; Buschmann, V. ; Rodewald, M. ; Fuess, H. ; Fascko, S. ; Koerdt, C. ; Kurz, H. |
| Art des Eintrags: |
Bibliographie |
| Titel: |
Ohmic contact formation mechanics of the PdGeAu system on n-type GaSb grown by molecular beam epitaxy |
| Sprache: |
Englisch |
| Publikationsjahr: |
1998 |
| Verlag: |
American Institute of Physics |
| Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: |
Journal of Applied Physics |
| Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: |
83 |
| (Heft-)Nummer: |
12 |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): |
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Mikrowellenelektronik |
| Hinterlegungsdatum: |
19 Nov 2008 16:20 |
| Letzte Änderung: |
20 Feb 2020 13:30 |
| PPN: |
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| Export: |
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