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Evaluation of MOSFETs with Crystalline High-K Gate-Dielectrics: Device Simulation and Experimental Data

Zaunert, Florian ; Endres, Ralf ; Stefanov, Yordan ; Schwalke, Udo (2007)
Evaluation of MOSFETs with Crystalline High-K Gate-Dielectrics: Device Simulation and Experimental Data.
In: Journal of Telecommunications and Technology, 2
Artikel, Bibliographie

Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 2007
Autor(en): Zaunert, Florian ; Endres, Ralf ; Stefanov, Yordan ; Schwalke, Udo
Art des Eintrags: Bibliographie
Titel: Evaluation of MOSFETs with Crystalline High-K Gate-Dielectrics: Device Simulation and Experimental Data
Sprache: Englisch
Publikationsjahr: 2007
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: Journal of Telecommunications and Technology
Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: 2
URL / URN: http://www.nit.eu/czasopisma/JTIT/2007/2/78.pdf
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik
Hinterlegungsdatum: 28 Jun 2011 06:40
Letzte Änderung: 26 Aug 2018 21:26
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