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Device and Stress Simulation of MOSFETs with Crystalline High-k Gate-Dielectrics Manufactured with Replacement Gate Process

Zaunert, Florian ; Endres, Ralf ; Schwalke, Udo :
Device and Stress Simulation of MOSFETs with Crystalline High-k Gate-Dielectrics Manufactured with Replacement Gate Process.
[Online-Edition: http://www.stw.nl/NR/rdonlyres/298C269E-5F75-46AC-875E-ACF93...]
In: Proceedings of Semiconductor Advances for Future Electronics (SAFE) 2007 pp. 488-491.
[Artikel], (2007)

Offizielle URL: http://www.stw.nl/NR/rdonlyres/298C269E-5F75-46AC-875E-ACF93...
Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 2007
Autor(en): Zaunert, Florian ; Endres, Ralf ; Schwalke, Udo
Titel: Device and Stress Simulation of MOSFETs with Crystalline High-k Gate-Dielectrics Manufactured with Replacement Gate Process
Sprache: Englisch
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: Proceedings of Semiconductor Advances for Future Electronics (SAFE) 2007
Fachbereich(e)/-gebiet(e): Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik
Veranstaltungstitel: 10th Annual Workshop on Semiconductor Advances for Future Electronics and Sensors
Veranstaltungsort: Veldhoven, Niederlande
Veranstaltungsdatum: 29.-30.11.2007
Hinterlegungsdatum: 20 Nov 2008 08:26
Offizielle URL: http://www.stw.nl/NR/rdonlyres/298C269E-5F75-46AC-875E-ACF93...
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