Blättern nach Person
Ebene hoch |
Deutsch
Zhao, G. ; Hubbard, S. M. ; Pavlidis, D. (2005)
High quality AlN grown by organometallic vapor phase epitaxy (OMVPE).
Konferenzveröffentlichung, Bibliographie
Englisch
Fritzsche, M. J. A. ; Berthold, H. ; Lorenzen, S. R. ; Schneider, J. ; Firus, A. ; Stasica, M. A. ; Zhao, G. ; Seyfarth, A.
Hrsg.: Casas, Joan Ramon (2022)
Integrated measurement concept for identification of human-structure interaction of flexible structures for natural gait.
11th International Conference on Bridge Maintenance, Safety and Management (IABMAS 2022). Barcelona, Spain (11.07.2022-15.07.2022)
doi: 10.1201/9781003322641-86
Konferenzveröffentlichung, Bibliographie
Seyfarth, André ; Sharbafi, M. A. ; Zhao, G. ; Schumacher, C. (2018)
Modular composition of human gaits through locomotor subfunctions and sensor-motor-maps.
International Symposium on Wearable Robotics. Pisa, Italy (16.10.2018-20.10.2018)
Konferenzveröffentlichung, Bibliographie
Schumacher, C. ; Grimmer, M. ; Scherf, A. ; Zhao, G. ; Beckerle, P. ; Seyfarth, André (2018)
A Movement Manipulator to Introduce Temporary and Local Perturbations in Human Hopping.
(26.08.2018-29.08.2018)
doi: 10.1109/BIOROB.2018.8487900
Konferenzveröffentlichung, Bibliographie
Sharbafi, M. A. ; Rode, C. ; Kurowski, Stefan ; Scholz, Dorian ; Möckel, R. ; Radkhah, Katayon ; Zhao, G. ; Rashty, A. M. ; Stryk, Oskar von ; Seyfarth, A. (2016)
A new biarticular actuator design facilitates control of leg function in BioBiped3.
In: Bioinspiration & Biomimetics, 11 (4)
doi: 10.1088/1748-3190/11/4/046003
Artikel, Bibliographie
Mutamba, Kabula ; Yilmazoglu, Oktay ; Sydlo, Cezary ; Mir, Mostafa ; Hubbard, Seth ; Zhao, G. ; Daumiller, Ingo ; Pavlidis, Dimitris (2006)
Technology aspects of GaN-based diodes for high-field operation.
In: Superlatices and Microstructures, 40
Artikel, Bibliographie
Hubbard, S. M. ; Zhao, G. ; Pavlidis, D. ; Sutton, W. ; Cho, E. (2005)
High resistivity GaN Buffer templates and their optimization for GaN-Based HFETs.
In: Journal of Crystal Growth, 284
Artikel, Bibliographie
Mutamba, K. ; Yilmazoglu, O. ; Sydlo, C. ; Pavlidis, D. ; Mir, S. ; Hubbard, S. ; Zhao, G. ; Daumiller, I. (2005)
Technology and characteristics of GaN-based diodes for high-field operation.
Konferenzveröffentlichung, Bibliographie
Zhao, G. ; Hubbard, S. M. ; Pavlidis, Dimitris (2004)
Yellow luminescence centers of GaN.
In: Japanese Journal of Applied Physics, 43, Part 1 (5A)
doi: 10.1143/JJAP.43.2471
Artikel, Bibliographie
Zhu, X. ; Pavlidis, Dimitris ; Zhao, G. ; Han, B.-K. ; Wibowo, A. ; Pan, N. (2004)
First power demonstration of InP/GaAsSb/InP double HBTs.
Konferenzveröffentlichung, Bibliographie
Hubbard, S. M. ; Zhao, G. ; Pavlidis, Dimitris ; Cho, E. ; Sutton, W. (2004)
Optimization of GaN channel conductivity in AlGaN/GaN HFET structures grown by MOVPE.
Konferenzveröffentlichung, Bibliographie
Zhu, X. ; Pavlidis, Dimitris ; Zhao, G. ; Bove, P. ; Lahrèche, H. ; Langer, R. (2003)
First microwave characteristics of InGaAlAs/GaAsSb/InP double HBTs.
In: IEICE Transactions C: IEICE Transactions on Electronics, 86 (10)
Artikel, Bibliographie
Zhu, X. ; Pavlidis, Dimitris ; Zhao, G. (2003)
First high-frequency amd power demonstration of InGaAlAs/GaAsSb/InP double HBTs.
Konferenzveröffentlichung, Bibliographie