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First high-frequency amd power demonstration of InGaAlAs/GaAsSb/InP double HBTs

Zhu, X. ; Pavlidis, Dimitris ; Zhao, G. :
First high-frequency amd power demonstration of InGaAlAs/GaAsSb/InP double HBTs.
In: International Conference on Indium Phosphide and Related Materials <2003, Santa Barbara, Calif.>: Proceedings ...- Piscataway, NJ: IEEE Service Center, 2003.- 578 S.- ISBN 0-7803-7704-4.- S. 149-152 . IEEE Service Center , Piscataway, NJ
[Konferenz- oder Workshop-Beitrag], (2003)

Typ des Eintrags: Konferenz- oder Workshop-Beitrag (Keine Angabe)
Erschienen: 2003
Autor(en): Zhu, X. ; Pavlidis, Dimitris ; Zhao, G.
Titel: First high-frequency amd power demonstration of InGaAlAs/GaAsSb/InP double HBTs
Sprache: Englisch
Reihe: International Conference on Indium Phosphide and Related Materials <2003, Santa Barbara, Calif.>: Proceedings ...- Piscataway, NJ: IEEE Service Center, 2003.- 578 S.- ISBN 0-7803-7704-4.- S. 149-152
Ort: Piscataway, NJ
Verlag: IEEE Service Center
Fachbereich(e)/-gebiet(e): Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
Hinterlegungsdatum: 19 Nov 2008 16:25
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