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First microwave characteristics of InGaAlAs/GaAsSb/InP double HBTs

Zhu, X. ; Pavlidis, Dimitris ; Zhao, G. ; Bove, P. ; Lahrèche, H. ; Langer, R. :
First microwave characteristics of InGaAlAs/GaAsSb/InP double HBTs.
In: IEICE transactions on electronics / E / C, Vol. 8 pp. 2010-2014.
[Artikel], (2003)

Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 2003
Autor(en): Zhu, X. ; Pavlidis, Dimitris ; Zhao, G. ; Bove, P. ; Lahrèche, H. ; Langer, R.
Titel: First microwave characteristics of InGaAlAs/GaAsSb/InP double HBTs
Sprache: Englisch
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: IEICE transactions on electronics / E / C
Band: Vol. 8
Fachbereich(e)/-gebiet(e): Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
Hinterlegungsdatum: 20 Nov 2008 08:18
Zusätzliche Informationen:

Ebenfalls ersch. in: TWHM, Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics <2003, Okinawa>: Proceedings ...- S. 18-19

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