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Anzahl der Einträge: 3.

Mutamba, K. ; Yilmazoglu, O. ; Sydlo, C. ; Pavlidis, D. ; Mir, S. ; Hubbard, S. ; Zhao, G. ; Daumiller, I. :
Technology and characteristics of GaN-based diodes for high-field operation.
In: Proceedings of WOCSDICE ' 05 : Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits in Europe <29, 2005,Cardiff, UK>, 2005, S.111 - 112 .
[ Konferenzveröffentlichung] , (2005)

Cojocari, Oleg ; Popa, V. ; Ursaki, V. V. ; Tiginyanu, I. M. ; Hartnagel, Hans L. ; Daumiller, I. :
GaN Schottky multiplier diodes prepared by electroplating : a study of passivation technology.
In: Semiconductor science and technology, 19 S. 1273-1279.
[Artikel] , (2004)

Saglam, Mustafa ; Mutamba, Kabula ; Megej, Alexander ; Sydlo, Cezary ; Hartnagel, Hans L. ; Daumiller, I. :
Influence of polarization chages in Al 0.4 Ga 0.6 N/GaN barrier varactors.
In: Applied physics letters, Vol. 8 S. 227-229.
[Artikel] , (2003)

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