1998

Horn, Joachim (1998)
Lumineszenzuntersuchungen an Verbindungshalbleitern nach Anregung mit einem Rastertunnelmikroskop.
Technische Universität Darmstadt
Dissertation, Bibliographie

1996

Iida, Tsutomu ; Makita, Yunosuke ; Shima, Takayuki ; Kimura, Shinji ; Horn, Joachim ; Hartnagel, Hans L. ; Uekusa, Shin‐ichiro (1996)
C+-energy-dependent residual ion damage in GaAs: C grown by the low-energy ion-beam doping method.
In: Journal of Applied Physics, 80 (7)
doi: 10.1063/1.363306
Artikel, Bibliographie

Horn, Joachim ; Pavlidis, Dimitris ; Park, Yongjo ; Hartnagel, Hans L. (1996)
Scanning tunneling microscopy characterization of MOCVD grown GaN.
In: Materials Science and Engineering: B, 44 (1/3)
doi: 10.1016/S0921-5107(96)01791-6
Artikel, Bibliographie

1995

Horn, Joachim ; Marx, N. ; Weiss, B. L. ; Hartnagel, H. L. ; Stehle, M. ; Bischoff, M. ; Pagnia, H. (1995)
High resolution surface characterization using STM light emission techniques.
In: Passivation of metals and semiconductors
Buchkapitel, Bibliographie

Stehle, M. ; Bischoff, M. ; Pagnia, H. ; Horn, Joachim ; Marx, N. ; Weiss, B. L. ; Hartnagel, H. L. (1995)
Time-resolved luminscence measurements on GaAs homostructures using pulse excitation of a scanning tunneling microscope.
In: Journal of Vacuum Science and Technology B, 13
doi: 10.1116/1.588370
Artikel, Bibliographie