TU Darmstadt / ULB / TUbiblio

C+-energy-dependent residual ion damage in GaAs: C grown by the low-energy ion-beam doping method

Iida, T. ; Makita, ; Shima, ; Kimura, ; Horn, ; Hartnagel, ; Uekusa, :
C+-energy-dependent residual ion damage in GaAs: C grown by the low-energy ion-beam doping method.
In: Journal of applied physics. 80 (1996), 7
[Artikel], (1996)

Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 1996
Autor(en): Iida, T. ; Makita, ; Shima, ; Kimura, ; Horn, ; Hartnagel, ; Uekusa,
Titel: C+-energy-dependent residual ion damage in GaAs: C grown by the low-energy ion-beam doping method
Sprache: Englisch
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: Journal of applied physics. 80 (1996), 7
Fachbereich(e)/-gebiet(e): Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
Hinterlegungsdatum: 19 Nov 2008 16:04
Export:

Optionen (nur für Redakteure)

Eintrag anzeigen Eintrag anzeigen