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Charge Trapping and Dielectric Reliability of SiO2/Al2O3 Gate Stacks with TiN Electrodes.
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Artikel, Bibliographie

Kerber, Andreas ; Cartier, E. ; Degraeve, R. ; Roussel, Ph. ; Pantisano, L. ; Kauerauf, T. ; Groeseneken, G. ; Maes, H. E. ; Schwalke, Udo (2003)
Charge Trapping and Dielectric Reliability of SiO2/Al2O3 Gate Stacks with TiN Electrodes.
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Artikel, Bibliographie

Kerber, Andreas ; Cartier, E. ; Pantisano, L. ; Rosmeulen, M. ; Degraeve, R. ; Kauerauf, T. ; Groeseneken, G. ; Maes, H. E. ; Schwalke, Udo (2003)
Characterization of the VT Instability in SiO2/HfO2 Gate Dielectrics.
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Kerber, Andreas ; Cartier, E. ; Pantisano, L. ; Degraeve, R. ; Kauerauf, T. ; Kim, Y. ; Hou, A. ; Groeseneken, G. ; Maes, H. E. ; Schwalke, Udo (2003)
Origin of the Threshold Voltage Instability in SiO2/HfO2 Dual Layer Gate Dielectrics.
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Artikel, Bibliographie

Kerber, Andreas ; Cartier, E. ; Pantisano, L. ; Degraeve, R. ; Kim, Y. ; Hou, A. ; Groeseneken, G. ; Maes, H. E. ; Schwalke, Udo (2002)
Charging Instability in n-Channel MOS-FETs with SiO2/HfO2 Gate Dielectric.
IEEE Semiconductor Interface Specialist Conference. San Diego, CA, USA (05.12.2002-07.12.2002)
Konferenzveröffentlichung, Bibliographie