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Origin of the Threshold Voltage Instability in SiO2/HfO2 Dual Layer Gate Dielectrics

Kerber, Andreas ; Cartier, E. ; Pantisano, L. ; Degraeve, R. ; Kauerauf, T. ; Kim, Y. ; Hou, A. ; Groeseneken, G. ; Maes, H. E. ; Schwalke, Udo :
Origin of the Threshold Voltage Instability in SiO2/HfO2 Dual Layer Gate Dielectrics.
[Online-Edition: http://dx.doi.org/10.1109/LED.2003.808844]
In: IEEE Dlectron Device Letters, 24 (2) pp. 87-89.
[Artikel], (2003)

Offizielle URL: http://dx.doi.org/10.1109/LED.2003.808844
Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 2003
Autor(en): Kerber, Andreas ; Cartier, E. ; Pantisano, L. ; Degraeve, R. ; Kauerauf, T. ; Kim, Y. ; Hou, A. ; Groeseneken, G. ; Maes, H. E. ; Schwalke, Udo
Titel: Origin of the Threshold Voltage Instability in SiO2/HfO2 Dual Layer Gate Dielectrics
Sprache: Englisch
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: IEEE Dlectron Device Letters
Band: 24
(Heft-)Nummer: 2
Fachbereich(e)/-gebiet(e): Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik
Hinterlegungsdatum: 20 Nov 2008 08:18
Offizielle URL: http://dx.doi.org/10.1109/LED.2003.808844
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