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Charge Trapping and Dielectric Reliability of SiO2/Al2O3 Gate Stacks with TiN Electrodes

Kerber, Andreas ; Cartier, E. ; Degraeve, R. ; Roussel, Ph. ; Pantisano, L. ; Kauerauf, T. ; Groeseneken, G. ; Maes, H. E. ; Schwalke, Udo :
Charge Trapping and Dielectric Reliability of SiO2/Al2O3 Gate Stacks with TiN Electrodes.
[Online-Edition: http://dx.doi.org/10.1109/TED.2003.813486]
In: IEEE Transactions on Electron Devices, 50 (5) pp. 1261-1269.
[Artikel], (2003)

Offizielle URL: http://dx.doi.org/10.1109/TED.2003.813486
Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 2003
Autor(en): Kerber, Andreas ; Cartier, E. ; Degraeve, R. ; Roussel, Ph. ; Pantisano, L. ; Kauerauf, T. ; Groeseneken, G. ; Maes, H. E. ; Schwalke, Udo
Titel: Charge Trapping and Dielectric Reliability of SiO2/Al2O3 Gate Stacks with TiN Electrodes
Sprache: Englisch
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: IEEE Transactions on Electron Devices
Band: 50
(Heft-)Nummer: 5
Fachbereich(e)/-gebiet(e): Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik
Hinterlegungsdatum: 20 Nov 2008 08:15
Offizielle URL: http://dx.doi.org/10.1109/TED.2003.813486
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