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Charge Trapping and Dielectric Reliability of SiO2/Al2O3 Gate Stacks with TiN Electrodes

Kerber, Andreas ; Cartier, E. ; Degraeve, R. ; Roussel, Ph. ; Pantisano, L. ; Kauerauf, T. ; Groeseneken, G. ; Maes, H. E. ; Schwalke, Udo (2003)
Charge Trapping and Dielectric Reliability of SiO2/Al2O3 Gate Stacks with TiN Electrodes.
In: IEEE Transactions on Electron Devices, 50 (5)
Artikel, Bibliographie

Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 2003
Autor(en): Kerber, Andreas ; Cartier, E. ; Degraeve, R. ; Roussel, Ph. ; Pantisano, L. ; Kauerauf, T. ; Groeseneken, G. ; Maes, H. E. ; Schwalke, Udo
Art des Eintrags: Bibliographie
Titel: Charge Trapping and Dielectric Reliability of SiO2/Al2O3 Gate Stacks with TiN Electrodes
Sprache: Englisch
Publikationsjahr: Mai 2003
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: IEEE Transactions on Electron Devices
Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: 50
(Heft-)Nummer: 5
URL / URN: http://dx.doi.org/10.1109/TED.2003.813486
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik
Hinterlegungsdatum: 20 Nov 2008 08:15
Letzte Änderung: 20 Feb 2020 13:25
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