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Characterization of the VT Instability in SiO2/HfO2 Gate Dielectrics

Kerber, Andreas ; Cartier, E. ; Pantisano, L. ; Rosmeulen, M. ; Degraeve, R. ; Kauerauf, T. ; Groeseneken, G. ; Maes, H. E. ; Schwalke, Udo :
Characterization of the VT Instability in SiO2/HfO2 Gate Dielectrics.
[Online-Edition: http://dx.doi.org/10.1109/RELPHY.2003.1197718]
In: Proceedings of the IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) pp. 41-45.
[Artikel], (2003)

Offizielle URL: http://dx.doi.org/10.1109/RELPHY.2003.1197718
Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 2003
Autor(en): Kerber, Andreas ; Cartier, E. ; Pantisano, L. ; Rosmeulen, M. ; Degraeve, R. ; Kauerauf, T. ; Groeseneken, G. ; Maes, H. E. ; Schwalke, Udo
Titel: Characterization of the VT Instability in SiO2/HfO2 Gate Dielectrics
Sprache: Englisch
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: Proceedings of the IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS)
Fachbereich(e)/-gebiet(e): Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik
Veranstaltungstitel: IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS)
Veranstaltungsort: Dallas, TX, USA
Veranstaltungsdatum: 30.03.-03.04.2003
Hinterlegungsdatum: 19 Nov 2008 15:58
Offizielle URL: http://dx.doi.org/10.1109/RELPHY.2003.1197718
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