Typ des Eintrags: |
Artikel
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Erschienen: |
2003 |
Autor(en): |
Kerber, Andreas ; Cartier, E. ; Pantisano, L. ; Rosmeulen, M. ; Degraeve, R. ; Kauerauf, T. ; Groeseneken, G. ; Maes, H. E. ; Schwalke, Udo |
Art des Eintrags: |
Bibliographie |
Titel: |
Characterization of the VT Instability in SiO2/HfO2 Gate Dielectrics |
Sprache: |
Englisch |
Publikationsjahr: |
4 April 2003 |
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: |
Proceedings of the IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) |
Veranstaltungstitel: |
IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) |
Veranstaltungsort: |
Dallas, TX, USA |
Veranstaltungsdatum: |
30.03.-03.04.2003 |
URL / URN: |
http://dx.doi.org/10.1109/RELPHY.2003.1197718 |
Fachbereich(e)/-gebiet(e): |
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik |
Hinterlegungsdatum: |
19 Nov 2008 15:58 |
Letzte Änderung: |
20 Feb 2020 13:25 |
PPN: |
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Export: |
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