Kerber, Andreas ; Cartier, E. ; Pantisano, L. ; Rosmeulen, M. ; Degraeve, R. ; Kauerauf, T. ; Groeseneken, G. ; Maes, H. E. ; Schwalke, Udo
:
Characterization of the VT Instability in SiO2/HfO2 Gate Dielectrics.
[Online-Edition: http://dx.doi.org/10.1109/RELPHY.2003.1197718]
In:
Proceedings of the IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS)
pp. 41-45.
[Artikel], (2003)
Offizielle URL: http://dx.doi.org/10.1109/RELPHY.2003.1197718
| Typ des Eintrags: | Artikel |
|---|---|
| Erschienen: | 2003 |
| Autor(en): | Kerber, Andreas ; Cartier, E. ; Pantisano, L. ; Rosmeulen, M. ; Degraeve, R. ; Kauerauf, T. ; Groeseneken, G. ; Maes, H. E. ; Schwalke, Udo |
| Titel: | Characterization of the VT Instability in SiO2/HfO2 Gate Dielectrics |
| Sprache: | Englisch |
| Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | Proceedings of the IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik |
| Veranstaltungstitel: | IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) |
| Veranstaltungsort: | Dallas, TX, USA |
| Veranstaltungsdatum: | 30.03.-03.04.2003 |
| Hinterlegungsdatum: | 19 Nov 2008 15:58 |
| Offizielle URL: | http://dx.doi.org/10.1109/RELPHY.2003.1197718 |
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