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Characterization of the VT Instability in SiO2/HfO2 Gate Dielectrics

Kerber, Andreas ; Cartier, E. ; Pantisano, L. ; Rosmeulen, M. ; Degraeve, R. ; Kauerauf, T. ; Groeseneken, G. ; Maes, H. E. ; Schwalke, Udo (2003)
Characterization of the VT Instability in SiO2/HfO2 Gate Dielectrics.
In: Proceedings of the IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS)
Artikel, Bibliographie

Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 2003
Autor(en): Kerber, Andreas ; Cartier, E. ; Pantisano, L. ; Rosmeulen, M. ; Degraeve, R. ; Kauerauf, T. ; Groeseneken, G. ; Maes, H. E. ; Schwalke, Udo
Art des Eintrags: Bibliographie
Titel: Characterization of the VT Instability in SiO2/HfO2 Gate Dielectrics
Sprache: Englisch
Publikationsjahr: 4 April 2003
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: Proceedings of the IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS)
Veranstaltungstitel: IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS)
Veranstaltungsort: Dallas, TX, USA
Veranstaltungsdatum: 30.03.-03.04.2003
URL / URN: http://dx.doi.org/10.1109/RELPHY.2003.1197718
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik
Hinterlegungsdatum: 19 Nov 2008 15:58
Letzte Änderung: 20 Feb 2020 13:25
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