Englisch

Fritsche, R. ; Wisotzki, E. ; Thißen, A. ; Islam, A. B. M. O. ; Klein, Andreas ; Jaegermann, W. ; Rudolph, R. ; Tonti, D. ; Pettenkofer, C. (2002)
Preparation of a Si(111):GaSe van der Waals surface termination by selenization of a monolayer Ga on Si(111).
In: Surface Science, 515 (2-3)
doi: 10.1016/S0039-6028(02)01851-4
Artikel, Bibliographie

Fritsche, R. ; Wisotzki, E. ; Islam, A. B. M. O. ; Thissen, A. ; Klein, Andreas ; Jaegermann, W. ; Rudolph, R. ; Tonti, D. ; Pettenkofer, C. (2002)
Electronic passivation of Si(111) by Ga–Se half-sheet termination.
In: Applied Physics Letters, 80 (8)
doi: 10.1063/1.1454228
Artikel, Bibliographie

Jaegermann, W. ; Rudolph, R. ; Klein, Andreas ; Pettenkofer, C. (2000)
Perspectives of the concept of van der Waals epitaxy: growth of lattice mismatched GaSe (0001) films on Si (111), Si (110), and Si (100).
In: Thin Solid Films, 380 (1-2)
doi: 10.1016/S0040-6090(00)01523-6
Artikel, Bibliographie

Rudolph, R. ; Pettenkofer, C. ; Klein, Andreas ; Jaegermann, W. (2000)
Chemical passivation of Si(111) capped by a thin GaSe layer.
In: Applied Surface Science, 167 (1-2)
doi: 10.1016/S0169-4332(00)00515-8
Artikel, Bibliographie

Rudolph, R. ; Pettenkofer, C. ; Klein, Andreas ; Jaegermann, W. (2000)
Van der Waals-Xenotaxy: Growth of GaSe(0001) on low index silicon surfaces.
In: Applied Surface Science, 166 (1-4)
doi: 10.1016/S0169-4332(00)00464-5
Artikel, Bibliographie

Rudolph, R. ; Klein, Andreas ; Tomm, Y. ; Pettenkofer, C. ; Jaegermann, W. (2000)
Van der Waals-Xenotaxy: Oriented growth of hexagonal GaSe(0001) on rectangular GaAs(110).
In: Applied Physics Letters, 76 (9)
doi: 10.1063/1.125951
Artikel, Bibliographie

Löher, T. ; Klein, Andreas ; Schaar-Gabriel, E. ; Rudolph, R. ; Tomm, Y. ; Giersig, M. ; Pettenkofer, C. ; Jaegermann, W. (1997)
Van der Waals epitaxy of II-VI semiconductors on layered chalcogenide (0001) substrates: Towards buffer layers for lattice mismatched systems?
In: MRS Proceedings, 441
doi: 10.1557/PROC-441-597
Artikel, Bibliographie