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Perspectives of the concept of van der Waals epitaxy: growth of lattice mismatched GaSe (0001) films on Si (111), Si (110), and Si (100)

Jaegermann, W. ; Rudolph, R. ; Klein, Andreas ; Pettenkofer, C. :
Perspectives of the concept of van der Waals epitaxy: growth of lattice mismatched GaSe (0001) films on Si (111), Si (110), and Si (100).
In: Thin Solid Films, 380 (1-2) pp. 276-281. ISSN 00406090
[Artikel], (2000)

Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 2000
Autor(en): Jaegermann, W. ; Rudolph, R. ; Klein, Andreas ; Pettenkofer, C.
Titel: Perspectives of the concept of van der Waals epitaxy: growth of lattice mismatched GaSe (0001) films on Si (111), Si (110), and Si (100)
Sprache: Englisch
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: Thin Solid Films
Band: 380
(Heft-)Nummer: 1-2
Fachbereich(e)/-gebiet(e): Fachbereich Material- und Geowissenschaften
Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaften
Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaften > Oberflächenforschung / Surface Science
Hinterlegungsdatum: 19 Nov 2008 16:24
ID-Nummer: 10.1016/S0040-6090(00)01523-6
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