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Perspectives of the concept of van der Waals epitaxy: growth of lattice mismatched GaSe (0001) films on Si (111), Si (110), and Si (100)

Jaegermann, W. ; Rudolph, R. ; Klein, Andreas ; Pettenkofer, C. (2000)
Perspectives of the concept of van der Waals epitaxy: growth of lattice mismatched GaSe (0001) films on Si (111), Si (110), and Si (100).
In: Thin Solid Films, 380 (1-2)
doi: 10.1016/S0040-6090(00)01523-6
Artikel, Bibliographie

Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 2000
Autor(en): Jaegermann, W. ; Rudolph, R. ; Klein, Andreas ; Pettenkofer, C.
Art des Eintrags: Bibliographie
Titel: Perspectives of the concept of van der Waals epitaxy: growth of lattice mismatched GaSe (0001) films on Si (111), Si (110), and Si (100)
Sprache: Englisch
Publikationsjahr: 22 Dezember 2000
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: Thin Solid Films
Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: 380
(Heft-)Nummer: 1-2
DOI: 10.1016/S0040-6090(00)01523-6
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften
11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft
11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Oberflächenforschung
Hinterlegungsdatum: 19 Nov 2008 16:24
Letzte Änderung: 20 Feb 2020 13:27
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