2005

Chowdhury, D. Roy ; Saglam, M. ; Mutamba, K. ; Hartnagel, H. L. (2005)
A novel way to reduce conduction current in Al0:7Ga0:3As/GaAs heterostructure Barier Varactors.
Konferenzveröffentlichung, Bibliographie

2001

Sigmund, Jochen ; Saglam, M. ; Vogt, Alexander ; Hartnagel, H. L. ; Buschmann, V. ; Wieder, Thomas ; Fuess, H. (2001)
Microstructure analysis of ohmic contacts on MBE grown n-GaSb and investigation of submicron contacts.
In: Journal of Crystal Growth, 227-228
doi: 10.1016/S0022-0248(01)00785-0
Artikel, Bibliographie

2000

Sigmund, Jochen ; Saglam, M. ; Vogt, Alexander ; Hartnagel, H. L. ; Buschmann, V. ; Wieder, Thomas ; Fuess, H. (2000)
Microstructure analysis of Ohmic contacts on MBE grown n-GaSb layers and investigation of submicron contacts.
Konferenzveröffentlichung, Bibliographie

Hartnagel, Hans L. ; Lin, C. I. ; Rodriguez-Girones, M. ; Ichizli, V. ; Saglam, M. ; Szeliga, P. (2000)
Recent development in device technology for integrated THz circuits.
Konferenzveröffentlichung, Bibliographie

Sigmund, Jochen ; Saglam, M. ; Cojocari, O. ; Tiginyanu, I. ; Hartnagel, H. L. (2000)
Untersuchungen von epitaktischem Überwachsen auf porösen GaP und n-GaAs Substraten.
Konferenzveröffentlichung, Bibliographie

Bozzi, M. ; Saglam, M. ; Rodriguez-Girones, M. ; Perregrini, L. ; Hartnagel, H. L. (2000)
A new evolutionary approach for the analysis and optimization of THz nonlinear circuits.
Eighth International Conference on HF Radio Systems and Techniques. Guildford, UK (10.07.2000-13.07.2000)
Konferenzveröffentlichung, Bibliographie

1999

Lin, Chih-I. ; Vogt, Alexander ; Saglam, M. ; Hartnagel, H. L. (1999)
GaAs-Schottkydioden mit InAs-Elektrode.
Konferenzveröffentlichung, Bibliographie