TU Darmstadt / ULB / TUbiblio

Browsen nach Person

Ebene hoch
Gruppiere nach: Keine Gruppierung | Typ des Eintrags | Datum | Sprache
Anzahl der Einträge: 7.

Chowdhury, D. Roy ; Saglam, M. ; Mutamba, K. ; Hartnagel, H. L. :
A novel way to reduce conduction current in Al0:7Ga0:3As/GaAs heterostructure Barier Varactors.
In: Proceedings of the XIII International Workshop on Physics of Semiconductor Devices (IWPSD-2005) : December 13 - 17, 2005 / National Physical Laboratory, New Delhi. Ed.: Vikram Kumar ... Vol. 2, S. 817-821 ISBN: 81-7764947-7 .
[Konferenz- oder Workshop-Beitrag], (2005)

Sigmund, Jochen ; Saglam, M. ; Vogt, Alexander ; Hartnagel, H. L. ; Buschmann, V. ; Wieder, Thomas ; Fuess, H. :
Microstructure analysis of ohmic contacts on MBE grown n-GaSb and investigation of submicron contacts.
In: Journal of crystal growth, 227-22 pp. 625-629.
[Artikel], (2001)

Sigmund, Jochen ; Saglam, M. ; Vogt, Alexander ; Hartnagel, H. L. ; Buschmann, V. ; Wieder, Thomas ; Fuess, H. :
Microstructure analysis of Ohmic contacts on MBE grown n-GaSb layers and investigation of submicron contacts.
In: MBE-XI: International Conference on Molecular Beam Epitaxy <11, 2000, Beijing, China>: Abstract Book.S. 275 .
[Konferenz- oder Workshop-Beitrag], (2000)

Hartnagel, Hans L. ; Lin, C. I. ; Rodriguez-Girones, M. ; Ichizli, V. ; Saglam, M. ; Szeliga, P. :
Recent development in device technology for integrated THz circuits.
In: GAAS 2000: Gallium Arsenide and other Semiconductors Application Symposium <2000, La Defense, Paris>: Proceedings .
[Konferenz- oder Workshop-Beitrag], (2000)

Sigmund, Jochen ; Saglam, M. ; Cojocari, O. ; Tiginyanu, I. ; Hartnagel, H. L. :
Untersuchungen von epitaktischem Überwachsen auf porösen GaP und n-GaAs Substraten.
In: Epitaxie von III/V-Halbleitern: 15. Workshop des DGKK-Arbeitskreises , 2000 Bad Dürkheim. Tagungsbd. .
[Konferenz- oder Workshop-Beitrag], (2000)

Bozzi, M. ; Saglam, M. ; Rodriguez-Girones, M. ; Perregrini, L. ; Hartnagel, H. L. :
A new evolutionary approach for the analysis and optimization of THz nonlinear circuits.
In: International Conference on Terahertz Electronics <8, 2000, Darmstadt>. - Berlin, Offenbach: VDE-Verl., 2000 . VDE-Verl. , Berlin, Offenbach
[Konferenz- oder Workshop-Beitrag], (2000)

Lin, Chih-I. ; Vogt, Alexander ; Saglam, M. ; Hartnagel, H. L. :
GaAs-Schottkydioden mit InAs-Elektrode.
In: MBE: Molecular Beam Epitaxy Workshop <1999, Würzburg>; Proceedings .
[Konferenz- oder Workshop-Beitrag], (1999)

Diese Liste wurde am Sat Oct 21 07:17:57 2017 CEST generiert.