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1999
Pfeiffer, Joachim ; Peerlings, J. ; Riemenschneider, Rolf ; Genovese, R. ; Aziz, M. ; Böhm, G. ; Amann, Markus-Christian ; Meissner, Peter ; Hartnagel, Hans L. (1999)
InP-based bulk-micromachined tunable filter applications for WDM systems.
In: SPIE Photonics East <1999, Boston>: Proceedings
Buchkapitel, Bibliographie
1998
Riemenschneider, Rolf ; Peerlings, Joachim ; Pfeiffer, Joachim ; Dehé, A. ; Vogt, Andreas ; Meißner, Peter M. ; Hartnagel, Hans L. ; Chitica, N. ; Daleiden, Jürgen ; Streubel, Klaus P. ; Künzel, Harald ; Goertz, W. (1998)
Mechanical-optical analysis of InP-based Bragg Membranes for selective tunable WDM receivers.
doi: 10.1117/12.302395
Konferenzveröffentlichung, Bibliographie
1996
Riemenschneider, Rolf (1996)
Abscheidung Phosphor-dotierter SiO2-Schichten zur Passivierung von optoelektronisch-integrierten Empfängern.
Technische Universität Darmstadt
Dissertation, Bibliographie
Dumka, Deep C. ; Riemenschneider, Rolf ; Miao, Jianmin ; Hartnagel, Hans L. ; Singh, Babu R. (1996)
Electrochemically fabricated high-barrier Schottky contacts on n-InP and their application for metal-semiconductor-metal photodetectors.
In: Journal of The Electrochemical Society, 143 (6)
doi: 10.1149/1.1836929
Artikel, Bibliographie
1995
Riemenschneider, Rolf ; Gottwald, P. ; Hartnagel, Hans L.
Hrsg.: Bareikis, V. (1995)
Characterisation of SiO2 deposition by low-temperature plasma and photo CVD using low-frequency noise measurements.
13th International Conference on Noise in Physical Systems and 1/f Fluctuations (ICNF'95). Palanga, Lithuania (29.05.1995-03.06.1995)
Konferenzveröffentlichung, Bibliographie
Dumka, D. C. ; Riemenschneider, Rolf ; Hartnagel, Hans L. (1995)
High-barrier Schottky contacts on N-InP using damage-free electrochemical metallization.
19th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits: WOCSDICE. Stockholm (21.05.1995-24.05.1995)
Konferenzveröffentlichung, Bibliographie