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Abscheidung Phosphor-dotierter SiO2-Schichten zur Passivierung von optoelektronisch-integrierten Empfängern

Riemenschneider, Rolf (1996):
Abscheidung Phosphor-dotierter SiO2-Schichten zur Passivierung von optoelektronisch-integrierten Empfängern.
241, Düsseldorf: VDI-Verl., 1996. VII, 185 S.,
Düsseldorf, VDI-Verl, TU Darmstadt, [Ph.D. Thesis]

Item Type: Ph.D. Thesis
Erschienen: 1996
Creators: Riemenschneider, Rolf
Title: Abscheidung Phosphor-dotierter SiO2-Schichten zur Passivierung von optoelektronisch-integrierten Empfängern
Language: German
Volume: 241
Place of Publication: Düsseldorf
Publisher: VDI-Verl
Edition: Düsseldorf: VDI-Verl., 1996. VII, 185 S.
Collation: VII, 185 S
Divisions: 18 Department of Electrical Engineering and Information Technology
Date Deposited: 19 Nov 2008 15:58
License: [undefiniert]
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