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Abscheidung Phosphor-dotierter SiO2-Schichten zur Passivierung von optoelektronisch-integrierten Empfängern

Riemenschneider, Rolf :
Abscheidung Phosphor-dotierter SiO2-Schichten zur Passivierung von optoelektronisch-integrierten Empfängern.
VDI-Verl , Düsseldorf
[Dissertation]

Typ des Eintrags: Dissertation
Erschienen: 1996
Autor(en): Riemenschneider, Rolf
Titel: Abscheidung Phosphor-dotierter SiO2-Schichten zur Passivierung von optoelektronisch-integrierten Empfängern
Sprache: Deutsch
Band: 241
Ort: Düsseldorf
Verlag: VDI-Verl
Edition: Düsseldorf: VDI-Verl., 1996. VII, 185 S.
Kollation: VII, 185 S
Fachbereich(e)/-gebiet(e): Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
Hinterlegungsdatum: 19 Nov 2008 15:58
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