TU Darmstadt / ULB / TUbiblio

Abscheidung Phosphor-dotierter SiO2-Schichten zur Passivierung von optoelektronisch-integrierten Empfängern

Riemenschneider, Rolf :
Abscheidung Phosphor-dotierter SiO2-Schichten zur Passivierung von optoelektronisch-integrierten Empfängern.
VDI-Verl , Düsseldorf
[Ph.D. Thesis]

Item Type: Ph.D. Thesis
Erschienen: 1996
Creators: Riemenschneider, Rolf
Title: Abscheidung Phosphor-dotierter SiO2-Schichten zur Passivierung von optoelektronisch-integrierten Empfängern
Language: German
Volume: 241
Place of Publication: Düsseldorf
Publisher: VDI-Verl
Edition: Düsseldorf: VDI-Verl., 1996. VII, 185 S.
Collation: VII, 185 S
Divisions: 18 Department of Electrical Engineering and Information Technology
Date Deposited: 19 Nov 2008 15:58
Export:

Optionen (nur für Redakteure)

View Item View Item