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Anzahl der Einträge: 6.

Steinhagen, F. ; Hillmer, H. ; Lösch, R. ; Schlapp, W. ; Göbel, R. ; Kuphal, E. ; Hartnagel, H. L. ; Burkhard, H. (1996)
High-speed complex-coupled strain-compensated AlGaInAs/InP 1.5µm DFB laser diodes.
8th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials. Schwäbisch Gmünd, Germany (21.04.1996-25.04.1996)
Konferenzveröffentlichung, Bibliographie

Dehé, Alfons ; Hartnagel, Hans L. ; Pavlidis, Dimitris ; Hong, Kyushik ; Kuphal, E. (1996)
Properties of InGaAs/InP thermoelectric and surface bulk micromachined infrared sensors.
In: Applied physics letters. 69 (1996), S. 3039-3041, 69
doi: 10.1063/1.116832
Artikel, Bibliographie

Böttner, Th. ; Kräutle, H. ; Kuphal, E. ; Miethe, K. ; Hartnagel, H. L. (1996)
Surface- and sidewall-damage of InP-based optoelectronic devices during reactive ion etching using CH4/H2.
International Conference on Indium Phosphide and Related Materials. Schwäbisch Gmünd (8.1996)
Konferenzveröffentlichung, Bibliographie

Steinhagen, F. ; Hillmer, H. ; Lösch, R. ; Schlapp, W. ; Walter, H. ; Göbel, R. ; Kuphal, E. ; Hartnagel, H. L. ; Burkhard, H. (1995)
AlGaInAs/InP 1.5 My-m MQW DFB laser diodes exceeding 20GHz bandwidth.
In: Electronics Letters, 31 (4)
doi: 10.1049/el:19950212
Artikel, Bibliographie

Steinhagen, F. ; Hillmer, H. ; Hansmann, S. ; Mahrdiek, S. ; Lösch, R. ; Schlapp, W. ; Walter, H. ; Göbel, G. ; Dinges, H. W. ; Kuphal, E. ; Hartnagel, H. L. ; Burkhard, H. (1995)
AlGaInAs/InP 1.5 My-m DFB laser diodes for high capacity transmission modules.
10th International Conference on Integrated Optics and Optical Fibre Communication. Hong Kong (26.06.1995-30.06.1995)
Konferenzveröffentlichung, Bibliographie

Kuphal, E. ; Mause, K. ; Miethe, K. ; Eisenbach, A. ; Fiedler, F. ; Corbet, A. (1995)
Electron diffusion length in InGaAs:Zn derived from heterostructure bipolar transistors.
In: Solid state electronics, 38 (4)
doi: 10.1016/0038-1101(94)00182-F
Artikel, Bibliographie

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