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Electron diffusion length in InGaAs:Zn derived from heterostructure bipolar transistors

Kuphal, E. ; Mause, ; Miethe, ; Eisenbach, ; Fiedler, ; Corbet, :
Electron diffusion length in InGaAs:Zn derived from heterostructure bipolar transistors.
In: Solid state electronics. 38 (1995), Nr. 4, S. 795-799
[Artikel], (1995)

Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 1995
Autor(en): Kuphal, E. ; Mause, ; Miethe, ; Eisenbach, ; Fiedler, ; Corbet,
Titel: Electron diffusion length in InGaAs:Zn derived from heterostructure bipolar transistors
Sprache: Deutsch
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: Solid state electronics. 38 (1995), Nr. 4, S. 795-799
Fachbereich(e)/-gebiet(e): Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
Hinterlegungsdatum: 19 Nov 2008 15:58
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