Endres, Ralf ; Stefanov, Yordan ; Wessely, Frank ; Zaunert, Florian ; Schwalke, Udo (2008)
Process Damage-free Damascene Metal Gate Technology for Gentle Integration of Epitaxially Grown High-K.
In: Microelectronic Engineering, 85 (1)
Artikel, Bibliographie
URL / URN: http://dx.doi.org/10.1016/j.mee.2007.03.008
| Typ des Eintrags: | Artikel |
|---|---|
| Erschienen: | 2008 |
| Autor(en): | Endres, Ralf ; Stefanov, Yordan ; Wessely, Frank ; Zaunert, Florian ; Schwalke, Udo |
| Art des Eintrags: | Bibliographie |
| Titel: | Process Damage-free Damascene Metal Gate Technology for Gentle Integration of Epitaxially Grown High-K |
| Sprache: | Englisch |
| Publikationsjahr: | 30 März 2008 |
| Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | Microelectronic Engineering |
| Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: | 85 |
| (Heft-)Nummer: | 1 |
| URL / URN: | http://dx.doi.org/10.1016/j.mee.2007.03.008 |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik |
| Hinterlegungsdatum: | 01 Jul 2011 08:55 |
| Letzte Änderung: | 22 Mai 2013 14:09 |
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