Endres, Ralf ; Stefanov, Yordan ; Wessely, Frank ; Zaunert, Florian ; Schwalke, Udo (2006)
Process Damage-Free Damascene Metal Gate Technology for Gentle Integration of Epitaxially Grown High-K Gate Dielectrics.
3rd International Symposium on Advanced Gate Stack Technology (ISAGST). Austin, TX, USA (27.09.2006-29.09.2006)
Konferenzveröffentlichung, Bibliographie
| Typ des Eintrags: | Konferenzveröffentlichung |
|---|---|
| Erschienen: | 2006 |
| Autor(en): | Endres, Ralf ; Stefanov, Yordan ; Wessely, Frank ; Zaunert, Florian ; Schwalke, Udo |
| Art des Eintrags: | Bibliographie |
| Titel: | Process Damage-Free Damascene Metal Gate Technology for Gentle Integration of Epitaxially Grown High-K Gate Dielectrics |
| Sprache: | Englisch |
| Publikationsjahr: | 29 September 2006 |
| Veranstaltungstitel: | 3rd International Symposium on Advanced Gate Stack Technology (ISAGST) |
| Veranstaltungsort: | Austin, TX, USA |
| Veranstaltungsdatum: | 27.09.2006-29.09.2006 |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik |
| Hinterlegungsdatum: | 28 Jun 2011 05:58 |
| Letzte Änderung: | 22 Mai 2013 14:09 |
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