Gottlob, H. D. B. ; Echtermeyer, T. ; Mollenhauer, T. ; Schmidt, M. ; Efavi, J. ; Wahlbrink, T. ; Lemme, L. M. ; Kurz, H. ; Endres, Ralf ; Stefanov, Yordan ; Schwalke, Udo ; Czernohorsky, M. ; Bugiel, E. ; Fissel, A. ; Osten, H. J. (2006)
Approaches to CMOS Integration of Epitaxial Gadolinium Oxide High-K Dielectrics.
In: Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC)
Artikel, Bibliographie
URL / URN: http://dx.doi.org/10.1109/ESSDER.2006.307660
| Typ des Eintrags: | Artikel |
|---|---|
| Erschienen: | 2006 |
| Autor(en): | Gottlob, H. D. B. ; Echtermeyer, T. ; Mollenhauer, T. ; Schmidt, M. ; Efavi, J. ; Wahlbrink, T. ; Lemme, L. M. ; Kurz, H. ; Endres, Ralf ; Stefanov, Yordan ; Schwalke, Udo ; Czernohorsky, M. ; Bugiel, E. ; Fissel, A. ; Osten, H. J. |
| Art des Eintrags: | Bibliographie |
| Titel: | Approaches to CMOS Integration of Epitaxial Gadolinium Oxide High-K Dielectrics |
| Sprache: | Englisch |
| Publikationsjahr: | 21 September 2006 |
| Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC) |
| URL / URN: | http://dx.doi.org/10.1109/ESSDER.2006.307660 |
| Zusätzliche Informationen: | 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC), Montreux, Schweiz, 19.-21.09.2006 |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik |
| Hinterlegungsdatum: | 20 Nov 2008 08:26 |
| Letzte Änderung: | 08 Mai 2024 08:35 |
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