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Anzahl der Einträge: 5.

Kunst, M. ; Jaegermann, W. ; Schmeisser, D. :
Chemical etching of p-type Si(lOO) by K2Cr2O7: A combined investigation by TRMC, XPS, UPS and LEED.
[Online-Edition: http://dx.doi.org/10.1007/BF00618159]
In: Applied Physics A Solids and Surfaces, 42 (1) pp. 57-64. ISSN 0721-7250
[Artikel], (1987)

Sander, M. ; Lewerenz, H. J. ; Jaegermann, W. ; Schmeisser, D. :
Modellversuche zu Grenzflächenreaktionen an n-CuInSe2 im UHV.
[Online-Edition: http://dx.doi.org/10.1007/BF00469173]
In: Fresenius Zeitschrift für Analytische Chemie, 329 (2-3) pp. 367-369. ISSN 0016-1152
[Artikel], (1987)

Sander, M. ; Lewerenz, H.-J. ; Jaegermann, W. ; Schmeisser, D. :
Simulation of electrochemical interface properties: UHV-investigation on CuInSe2 and CuInS2.
[Online-Edition: http://dx.doi.org/10.1002/bbpc.19870910438]
In: Berichte der Bunsengesellschaft für Physikalische Chemie, 91 (4) pp. 416-419. ISSN 00059021
[Artikel], (1987)

Jaegermann, W. ; Schmeisser, D. :
Simulation of photoactive semiconductor/electrolyte interfaces in the ultrahigh vacuum by adsorption of H2O and halogens on layered semiconductors.
[Online-Edition: http://dx.doi.org/10.1116/1.574647]
In: Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films, 5 (4) p. 627. ISSN 07342101
[Artikel], (1987)

Jaegermann, W. ; Schmeisser, D. :
Reactivity of layer type transition metal chalcogenides towards oxidation.
[Online-Edition: http://dx.doi.org/10.1016/0039-6028(86)90666-7]
In: Surface Science, 165 (1) pp. 143-160. ISSN 00396028
[Artikel], (1986)

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