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Simulation of photoactive semiconductor/electrolyte interfaces in the ultrahigh vacuum by adsorption of H2O and halogens on layered semiconductors

Jaegermann, W. ; Schmeisser, D. :
Simulation of photoactive semiconductor/electrolyte interfaces in the ultrahigh vacuum by adsorption of H2O and halogens on layered semiconductors.
[Online-Edition: http://dx.doi.org/10.1116/1.574647]
In: Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films, 5 (4) p. 627. ISSN 07342101
[Artikel], (1987)

Offizielle URL: http://dx.doi.org/10.1116/1.574647
Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 1987
Autor(en): Jaegermann, W. ; Schmeisser, D.
Titel: Simulation of photoactive semiconductor/electrolyte interfaces in the ultrahigh vacuum by adsorption of H2O and halogens on layered semiconductors
Sprache: Englisch
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films
Band: 5
(Heft-)Nummer: 4
Fachbereich(e)/-gebiet(e): Fachbereich Material- und Geowissenschaften
Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaften
Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaften > Oberflächenforschung / Surface Science
Hinterlegungsdatum: 22 Apr 2015 08:56
Offizielle URL: http://dx.doi.org/10.1116/1.574647
ID-Nummer: 10.1116/1.574647
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