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Chemical etching of p-type Si(lOO) by K2Cr2O7: A combined investigation by TRMC, XPS, UPS and LEED

Kunst, M. ; Jaegermann, W. ; Schmeisser, D. :
Chemical etching of p-type Si(lOO) by K2Cr2O7: A combined investigation by TRMC, XPS, UPS and LEED.
[Online-Edition: http://dx.doi.org/10.1007/BF00618159]
In: Applied Physics A Solids and Surfaces, 42 (1) pp. 57-64. ISSN 0721-7250
[Artikel], (1987)

Offizielle URL: http://dx.doi.org/10.1007/BF00618159
Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 1987
Autor(en): Kunst, M. ; Jaegermann, W. ; Schmeisser, D.
Titel: Chemical etching of p-type Si(lOO) by K2Cr2O7: A combined investigation by TRMC, XPS, UPS and LEED
Sprache: Englisch
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: Applied Physics A Solids and Surfaces
Band: 42
(Heft-)Nummer: 1
Fachbereich(e)/-gebiet(e): Fachbereich Material- und Geowissenschaften
Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaften
Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaften > Oberflächenforschung / Surface Science
Hinterlegungsdatum: 22 Apr 2015 08:51
Offizielle URL: http://dx.doi.org/10.1007/BF00618159
ID-Nummer: 10.1007/BF00618159
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