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In-situ CCVD Growth of Hexagonal Carbon for CMOS-Compatible Nanoelectronics: From Nanotube Field-Effect Devices to Graphene Transistors

Schwalke, Udo ; Wessely, Pia Juliane ; Wessely, Frank ; Birinci, Emrah ; Keyn, Martin ; Rispal, Lorraine (2011)
In-situ CCVD Growth of Hexagonal Carbon for CMOS-Compatible Nanoelectronics: From Nanotube Field-Effect Devices to Graphene Transistors.
12th Trends in Nanotechnology International Conference (TNT). Tenerife, Canary Islands, Spain (21.11.2011-25.11.2011)
Konferenzveröffentlichung, Bibliographie

Typ des Eintrags: Konferenzveröffentlichung
Erschienen: 2011
Autor(en): Schwalke, Udo ; Wessely, Pia Juliane ; Wessely, Frank ; Birinci, Emrah ; Keyn, Martin ; Rispal, Lorraine
Art des Eintrags: Bibliographie
Titel: In-situ CCVD Growth of Hexagonal Carbon for CMOS-Compatible Nanoelectronics: From Nanotube Field-Effect Devices to Graphene Transistors
Sprache: Englisch
Publikationsjahr: 21 November 2011
Veranstaltungstitel: 12th Trends in Nanotechnology International Conference (TNT)
Veranstaltungsort: Tenerife, Canary Islands, Spain
Veranstaltungsdatum: 21.11.2011-25.11.2011
URL / URN: http://www.tntconf.org/2011/abstracts_TNT2011/TNT2011_Schwal...
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik
Hinterlegungsdatum: 21 Nov 2011 15:14
Letzte Änderung: 22 Mai 2013 13:54
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