Endres, Ralf ; Krauss, Tillmann ; Wessely, Frank ; Schwalke, Udo (2009)
Damascene Metal Gate Technology for Damage-free Gate-Last High-K Process Integration.
In: 3rd International Conference on Signals, Circuits and Systems (SCS)
Artikel, Bibliographie
URL / URN: http://dx.doi.org/10.1109/ICSCS.2009.5414209
| Typ des Eintrags: | Artikel |
|---|---|
| Erschienen: | 2009 |
| Autor(en): | Endres, Ralf ; Krauss, Tillmann ; Wessely, Frank ; Schwalke, Udo |
| Art des Eintrags: | Bibliographie |
| Titel: | Damascene Metal Gate Technology for Damage-free Gate-Last High-K Process Integration |
| Sprache: | Englisch |
| Publikationsjahr: | 8 November 2009 |
| Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | 3rd International Conference on Signals, Circuits and Systems (SCS) |
| URL / URN: | http://dx.doi.org/10.1109/ICSCS.2009.5414209 |
| Zusätzliche Informationen: | 3rd International Conference on Signals, Circuits and Systems (SCS), Djerba, Tunesien, 06.-08.11.2009 |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik |
| Hinterlegungsdatum: | 28 Jun 2011 14:09 |
| Letzte Änderung: | 07 Mai 2024 11:12 |
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