Endres, Ralf ; Krauss, Tillmann ; Wessely, Frank ; Schwalke, Udo (2009)
Gentle Gate Last Integration and Electrical Characterization of TiN/Gd2O3/Si MOS Capacitors and Field Effect Transistors.
40th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC). Arlington, VA, USA (03.-05.12.2009)
Konferenzveröffentlichung, Bibliographie
| Typ des Eintrags: | Konferenzveröffentlichung |
|---|---|
| Erschienen: | 2009 |
| Autor(en): | Endres, Ralf ; Krauss, Tillmann ; Wessely, Frank ; Schwalke, Udo |
| Art des Eintrags: | Bibliographie |
| Titel: | Gentle Gate Last Integration and Electrical Characterization of TiN/Gd2O3/Si MOS Capacitors and Field Effect Transistors |
| Sprache: | Englisch |
| Publikationsjahr: | 5 Dezember 2009 |
| Veranstaltungstitel: | 40th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC) |
| Veranstaltungsort: | Arlington, VA, USA |
| Veranstaltungsdatum: | 03.-05.12.2009 |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik |
| Hinterlegungsdatum: | 28 Jun 2011 14:03 |
| Letzte Änderung: | 22 Mai 2013 14:08 |
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