Zaunert, Florian ; Endres, Ralf ; Stefanov, Yordan ; Schwalke, Udo (2007)
Evaluation of MOSFETs with Crystalline High-K Gate-Dielectrics: Device Simulation and Experimental Data.
In: Journal of Telecommunications and Technology, 2
Artikel, Bibliographie
| Typ des Eintrags: | Artikel |
|---|---|
| Erschienen: | 2007 |
| Autor(en): | Zaunert, Florian ; Endres, Ralf ; Stefanov, Yordan ; Schwalke, Udo |
| Art des Eintrags: | Bibliographie |
| Titel: | Evaluation of MOSFETs with Crystalline High-K Gate-Dielectrics: Device Simulation and Experimental Data |
| Sprache: | Englisch |
| Publikationsjahr: | 2007 |
| Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | Journal of Telecommunications and Technology |
| Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: | 2 |
| URL / URN: | http://www.nit.eu/czasopisma/JTIT/2007/2/78.pdf |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik |
| Hinterlegungsdatum: | 28 Jun 2011 06:40 |
| Letzte Änderung: | 26 Aug 2018 21:26 |
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