Kerber, Andreas ; Cartier, E. ; Pantisano, L. ; Degraeve, R. ; Kim, Y. ; Hou, A. ; Groeseneken, G. ; Maes, H. E. ; Schwalke, Udo (2002)
Charging Instability in n-Channel MOS-FETs with SiO2/HfO2 Gate Dielectric.
IEEE Semiconductor Interface Specialist Conference. San Diego, CA, USA (05.12.2002-07.12.2002)
Konferenzveröffentlichung, Bibliographie
| Typ des Eintrags: | Konferenzveröffentlichung |
|---|---|
| Erschienen: | 2002 |
| Autor(en): | Kerber, Andreas ; Cartier, E. ; Pantisano, L. ; Degraeve, R. ; Kim, Y. ; Hou, A. ; Groeseneken, G. ; Maes, H. E. ; Schwalke, Udo |
| Art des Eintrags: | Bibliographie |
| Titel: | Charging Instability in n-Channel MOS-FETs with SiO2/HfO2 Gate Dielectric |
| Sprache: | Englisch |
| Publikationsjahr: | 7 Dezember 2002 |
| Veranstaltungstitel: | IEEE Semiconductor Interface Specialist Conference |
| Veranstaltungsort: | San Diego, CA, USA |
| Veranstaltungsdatum: | 05.12.2002-07.12.2002 |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik |
| Hinterlegungsdatum: | 27 Jun 2011 13:52 |
| Letzte Änderung: | 05 Mär 2013 09:50 |
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