Kerber, Andreas ; Cartier, E. ; Pantisano, L. ; Rosmeulen, M. ; Degraeve, R. ; Kauerauf, T. ; Groeseneken, G. ; Maes, H. E. ; Schwalke, Udo (2003)
Characterization of the VT Instability in SiO2/HfO2 Gate Dielectrics.
In: Proceedings of the IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS)
Artikel, Bibliographie
| Typ des Eintrags: | Artikel |
|---|---|
| Erschienen: | 2003 |
| Autor(en): | Kerber, Andreas ; Cartier, E. ; Pantisano, L. ; Rosmeulen, M. ; Degraeve, R. ; Kauerauf, T. ; Groeseneken, G. ; Maes, H. E. ; Schwalke, Udo |
| Art des Eintrags: | Bibliographie |
| Titel: | Characterization of the VT Instability in SiO2/HfO2 Gate Dielectrics |
| Sprache: | Englisch |
| Publikationsjahr: | 4 April 2003 |
| Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | Proceedings of the IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) |
| URL / URN: | http://dx.doi.org/10.1109/RELPHY.2003.1197718 |
| Zusätzliche Informationen: | IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), Dallas, TX, USA, 30.03.-03.04.2003 |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik |
| Hinterlegungsdatum: | 19 Nov 2008 15:58 |
| Letzte Änderung: | 08 Mai 2024 09:11 |
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