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Evaluation of MOSFETs with Crystalline High-k Gate-dielectrics: Device Simulation and Experimental Data

Zaunert, Florian ; Endres, Ralf ; Stefanov, Yordan ; Schwalke, Udo (2006)
Evaluation of MOSFETs with Crystalline High-k Gate-dielectrics: Device Simulation and Experimental Data.
7th Symposium Diagnostics & Yield - Advanced Silicon Devices and Technologies for ULSI Era. Warschau, Polen (25.06.2006-28.06.2006)
Konferenzveröffentlichung, Bibliographie

Typ des Eintrags: Konferenzveröffentlichung
Erschienen: 2006
Autor(en): Zaunert, Florian ; Endres, Ralf ; Stefanov, Yordan ; Schwalke, Udo
Art des Eintrags: Bibliographie
Titel: Evaluation of MOSFETs with Crystalline High-k Gate-dielectrics: Device Simulation and Experimental Data
Sprache: Englisch
Publikationsjahr: 28 Juni 2006
Veranstaltungstitel: 7th Symposium Diagnostics & Yield - Advanced Silicon Devices and Technologies for ULSI Era
Veranstaltungsort: Warschau, Polen
Veranstaltungsdatum: 25.06.2006-28.06.2006
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik
Hinterlegungsdatum: 20 Nov 2008 08:27
Letzte Änderung: 26 Aug 2018 21:24
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