Kerber, Andreas ; Cartier, E. ; Pantisano, L. ; Degraeve, R. ; Kauerauf, T. ; Kim, Y. ; Hou, A. ; Groeseneken, G. ; Maes, H. E. ; Schwalke, Udo (2003)
Origin of the Threshold Voltage Instability in SiO2/HfO2 Dual Layer Gate Dielectrics.
In: IEEE Dlectron Device Letters, 24 (2)
Artikel, Bibliographie
URL / URN: http://dx.doi.org/10.1109/LED.2003.808844
| Typ des Eintrags: | Artikel |
|---|---|
| Erschienen: | 2003 |
| Autor(en): | Kerber, Andreas ; Cartier, E. ; Pantisano, L. ; Degraeve, R. ; Kauerauf, T. ; Kim, Y. ; Hou, A. ; Groeseneken, G. ; Maes, H. E. ; Schwalke, Udo |
| Art des Eintrags: | Bibliographie |
| Titel: | Origin of the Threshold Voltage Instability in SiO2/HfO2 Dual Layer Gate Dielectrics |
| Sprache: | Englisch |
| Publikationsjahr: | Februar 2003 |
| Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | IEEE Dlectron Device Letters |
| Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: | 24 |
| (Heft-)Nummer: | 2 |
| URL / URN: | http://dx.doi.org/10.1109/LED.2003.808844 |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik |
| Hinterlegungsdatum: | 20 Nov 2008 08:18 |
| Letzte Änderung: | 20 Feb 2020 13:25 |
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