Fritsche, R. ; Wisotzki, E. ; Islam, A. B. M. O. ; Thissen, A. ; Klein, Andreas ; Jaegermann, Wolfram ; Rudolph, R. ; Tonti, D. ; Pettenkofer, C. (2021)
Electronic passivation of Si(111) by Ga–Se half-sheet termination.
In: Applied Physics Letters, 2002, 80 (8)
doi: 10.26083/tuprints-00019835
Artikel, Zweitveröffentlichung, Verlagsversion
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URL / URN: https://tuprints.ulb.tu-darmstadt.de/19835
Kurzbeschreibung (Abstract)
A Si(111):GaSe van der Waals surface is prepared using sequential deposition of Ga and Se at elevated temperature on a Si(111)-7×7 surface. Surface properties were investigated by soft x-ray photoelectron spectroscopy and low-energy electron diffraction. The Si(111)-1×1:GaSe surface remains with electronic surface potentials near flatband condition.
| Typ des Eintrags: | Artikel |
|---|---|
| Erschienen: | 2021 |
| Autor(en): | Fritsche, R. ; Wisotzki, E. ; Islam, A. B. M. O. ; Thissen, A. ; Klein, Andreas ; Jaegermann, Wolfram ; Rudolph, R. ; Tonti, D. ; Pettenkofer, C. |
| Art des Eintrags: | Zweitveröffentlichung |
| Titel: | Electronic passivation of Si(111) by Ga–Se half-sheet termination |
| Sprache: | Englisch |
| Publikationsjahr: | 2021 |
| Publikationsdatum der Erstveröffentlichung: | 2002 |
| Verlag: | AIP Publishing |
| Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | Applied Physics Letters |
| Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: | 80 |
| (Heft-)Nummer: | 8 |
| DOI: | 10.26083/tuprints-00019835 |
| URL / URN: | https://tuprints.ulb.tu-darmstadt.de/19835 |
| Zugehörige Links: | |
| Herkunft: | Zweitveröffentlichungsservice |
| Kurzbeschreibung (Abstract): | A Si(111):GaSe van der Waals surface is prepared using sequential deposition of Ga and Se at elevated temperature on a Si(111)-7×7 surface. Surface properties were investigated by soft x-ray photoelectron spectroscopy and low-energy electron diffraction. The Si(111)-1×1:GaSe surface remains with electronic surface potentials near flatband condition. |
| Status: | Verlagsversion |
| URN: | urn:nbn:de:tuda-tuprints-198355 |
| Sachgruppe der Dewey Dezimalklassifikatin (DDC): | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Oberflächenforschung |
| Hinterlegungsdatum: | 08 Nov 2021 12:11 |
| Letzte Änderung: | 09 Nov 2021 06:10 |
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- Electronic passivation of Si(111) by Ga–Se half-sheet termination. (deposited 08 Nov 2021 12:11) [Gegenwärtig angezeigt]
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