Krauss, Tillmann ; Wessely, Frank ; Schwalke, Udo (2016)
Favorable Combination of Schottky Barrier and Junctionless Properties in Field-Effect Transistors for High Temperature Applications.
PRiME 2016 / 230th Meeting of the Electrochemical Society (ECS). Honolulu, Hawaii, USA (02.10.2016-07.10.2016)
Konferenzveröffentlichung, Bibliographie
URL / URN: http://prime-intl.org/
| Typ des Eintrags: | Konferenzveröffentlichung |
|---|---|
| Erschienen: | 2016 |
| Autor(en): | Krauss, Tillmann ; Wessely, Frank ; Schwalke, Udo |
| Art des Eintrags: | Bibliographie |
| Titel: | Favorable Combination of Schottky Barrier and Junctionless Properties in Field-Effect Transistors for High Temperature Applications |
| Sprache: | Englisch |
| Publikationsjahr: | 7 Oktober 2016 |
| Veranstaltungstitel: | PRiME 2016 / 230th Meeting of the Electrochemical Society (ECS) |
| Veranstaltungsort: | Honolulu, Hawaii, USA |
| Veranstaltungsdatum: | 02.10.2016-07.10.2016 |
| URL / URN: | http://prime-intl.org/ |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik |
| Hinterlegungsdatum: | 24 Okt 2016 08:15 |
| Letzte Änderung: | 03 Jun 2018 21:28 |
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