Krauss, Tillmann ; Wessely, Frank ; Schwalke, Udo (2016)
Favorable Combination of Schottky Barrier and Junctionless Properties in Field-Effect Transistors for High Temperature Applications.
In: ECS Transactions, 75 (13)
Artikel, Bibliographie
| Typ des Eintrags: | Artikel |
|---|---|
| Erschienen: | 2016 |
| Autor(en): | Krauss, Tillmann ; Wessely, Frank ; Schwalke, Udo |
| Art des Eintrags: | Bibliographie |
| Titel: | Favorable Combination of Schottky Barrier and Junctionless Properties in Field-Effect Transistors for High Temperature Applications |
| Sprache: | Englisch |
| Publikationsjahr: | 23 September 2016 |
| Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | ECS Transactions |
| Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: | 75 |
| (Heft-)Nummer: | 13 |
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| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik |
| Hinterlegungsdatum: | 24 Okt 2016 08:14 |
| Letzte Änderung: | 03 Jun 2018 21:28 |
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