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Electrically Reconfigurable Dual Metal-gate Planar Field-effect Transistor for Dopant-free CMOS

Krauss, Tillmann ; Wessely, Frank ; Schwalke, Udo (2016)
Electrically Reconfigurable Dual Metal-gate Planar Field-effect Transistor for Dopant-free CMOS.
International Conference on Micro & Nano Electronic Systems. Leipzig, Germany (21.03.2016-24.03.2016)
Konferenzveröffentlichung, Bibliographie

Typ des Eintrags: Konferenzveröffentlichung
Erschienen: 2016
Autor(en): Krauss, Tillmann ; Wessely, Frank ; Schwalke, Udo
Art des Eintrags: Bibliographie
Titel: Electrically Reconfigurable Dual Metal-gate Planar Field-effect Transistor for Dopant-free CMOS
Sprache: Englisch
Publikationsjahr: 24 März 2016
Veranstaltungstitel: International Conference on Micro & Nano Electronic Systems
Veranstaltungsort: Leipzig, Germany
Veranstaltungsdatum: 21.03.2016-24.03.2016
URL / URN: http://dx.doi.org/10.1109/SSD.2016.7473724
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik
Hinterlegungsdatum: 21 Mär 2016 12:32
Letzte Änderung: 02 Jun 2016 13:42
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