Krauss, Tillmann ; Wessely, Frank ; Schwalke, Udo (2015)
Electrostatically Doped Planar Field-Effect Transistor for High Temperature Applications.
In: ECS Journal of Solid State Science and Technology, 4 (5)
Artikel, Bibliographie
URL / URN: http://dx.doi.org/10.1149/2.0021507jss
| Typ des Eintrags: | Artikel |
|---|---|
| Erschienen: | 2015 |
| Autor(en): | Krauss, Tillmann ; Wessely, Frank ; Schwalke, Udo |
| Art des Eintrags: | Bibliographie |
| Titel: | Electrostatically Doped Planar Field-Effect Transistor for High Temperature Applications |
| Sprache: | Englisch |
| Publikationsjahr: | 4 April 2015 |
| Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | ECS Journal of Solid State Science and Technology |
| Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: | 4 |
| (Heft-)Nummer: | 5 |
| URL / URN: | http://dx.doi.org/10.1149/2.0021507jss |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik |
| Hinterlegungsdatum: | 14 Apr 2015 11:21 |
| Letzte Änderung: | 22 Mär 2016 08:06 |
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