Fritsche, R. ; Wisotzki, E. ; Islam, A. B. M. O. ; Thissen, A. ; Klein, Andreas ; Jaegermann, W. ; Rudolph, R. ; Tonti, D. ; Pettenkofer, C. (2002)
Electronic passivation of Si(111) by Ga–Se half-sheet termination.
In: Applied Physics Letters, 80 (8)
doi: 10.1063/1.1454228
Artikel, Bibliographie
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Typ des Eintrags: | Artikel |
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Erschienen: | 2002 |
Autor(en): | Fritsche, R. ; Wisotzki, E. ; Islam, A. B. M. O. ; Thissen, A. ; Klein, Andreas ; Jaegermann, W. ; Rudolph, R. ; Tonti, D. ; Pettenkofer, C. |
Art des Eintrags: | Bibliographie |
Titel: | Electronic passivation of Si(111) by Ga–Se half-sheet termination |
Sprache: | Englisch |
Publikationsjahr: | Februar 2002 |
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | Applied Physics Letters |
Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: | 80 |
(Heft-)Nummer: | 8 |
DOI: | 10.1063/1.1454228 |
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Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Oberflächenforschung |
Hinterlegungsdatum: | 21 Feb 2015 15:55 |
Letzte Änderung: | 03 Jul 2024 02:22 |
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Electronic passivation of Si(111) by Ga–Se half-sheet termination. (deposited 08 Nov 2021 12:11)
- Electronic passivation of Si(111) by Ga–Se half-sheet termination. (deposited 21 Feb 2015 15:55) [Gegenwärtig angezeigt]
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