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Simulation and Experimental Verification: Dopant-free Si-Nanowire CMOS Technology on Silicon-on-Insulator Material

Schwalke, Udo ; Wessely, Frank ; Krauss, Tillmann (2013)
Simulation and Experimental Verification: Dopant-free Si-Nanowire CMOS Technology on Silicon-on-Insulator Material.
8th International Design and Test Symposium (IDT). Marrakesh, Morocco (16.12.2013-18.12.2013)
Konferenzveröffentlichung, Bibliographie

Typ des Eintrags: Konferenzveröffentlichung
Erschienen: 2013
Autor(en): Schwalke, Udo ; Wessely, Frank ; Krauss, Tillmann
Art des Eintrags: Bibliographie
Titel: Simulation and Experimental Verification: Dopant-free Si-Nanowire CMOS Technology on Silicon-on-Insulator Material
Sprache: Englisch
Publikationsjahr: 18 Dezember 2013
Veranstaltungstitel: 8th International Design and Test Symposium (IDT)
Veranstaltungsort: Marrakesh, Morocco
Veranstaltungsdatum: 16.12.2013-18.12.2013
URL / URN: http://idtsymposium.org/
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik
Hinterlegungsdatum: 31 Mär 2014 07:32
Letzte Änderung: 31 Mär 2014 07:32
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