Schwalke, Udo ; Wessely, Frank ; Krauss, Tillmann (2013)
CMOS without Doping on SOI: Multi-Gate Si-Nanowire Transistors for Logic and Memory Applications.
In: ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2 (6)
Artikel, Bibliographie
URL / URN: http://dx.doi.org/10.1149/2.002307jss
| Typ des Eintrags: | Artikel |
|---|---|
| Erschienen: | 2013 |
| Autor(en): | Schwalke, Udo ; Wessely, Frank ; Krauss, Tillmann |
| Art des Eintrags: | Bibliographie |
| Titel: | CMOS without Doping on SOI: Multi-Gate Si-Nanowire Transistors for Logic and Memory Applications |
| Sprache: | Englisch |
| Publikationsjahr: | 7 Mai 2013 |
| Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | ECS Journal of Solid State Science and Technology |
| Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: | 2 |
| (Heft-)Nummer: | 6 |
| URL / URN: | http://dx.doi.org/10.1149/2.002307jss |
| Zusätzliche Informationen: | 223rd Meeting of the Electrochemical Society, Toronto, Ontario, Canada, 12.-16.05.2013 |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik |
| Hinterlegungsdatum: | 22 Mai 2013 13:33 |
| Letzte Änderung: | 08 Mai 2024 08:07 |
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