Wessely, Pia Juliane ; Wessely, Frank ; Birinci, Emrah ; Riedinger, Bernadette ; Schwalke, Udo (2012)
Device Characteristics of In Situ CCVD Grown Bilayer Graphene FETs at Elevated Temperatures.
In: ECS Transactions, 45 (4)
Artikel, Bibliographie
URL / URN: http://dx.doi.org/10.1149/1.3700449
| Typ des Eintrags: | Artikel |
|---|---|
| Erschienen: | 2012 |
| Autor(en): | Wessely, Pia Juliane ; Wessely, Frank ; Birinci, Emrah ; Riedinger, Bernadette ; Schwalke, Udo |
| Art des Eintrags: | Bibliographie |
| Titel: | Device Characteristics of In Situ CCVD Grown Bilayer Graphene FETs at Elevated Temperatures |
| Sprache: | Englisch |
| Publikationsjahr: | 10 Mai 2012 |
| Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | ECS Transactions |
| Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: | 45 |
| (Heft-)Nummer: | 4 |
| URL / URN: | http://dx.doi.org/10.1149/1.3700449 |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik |
| Hinterlegungsdatum: | 06 Dez 2012 09:22 |
| Letzte Änderung: | 22 Mai 2013 14:01 |
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