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Charge Trapping and Dielectric Reliability of SiO2/Al2O3 Gate Stacks with TiN Electrodes

Kerber, Andreas ; Cartier, E. ; Degraeve, R. ; Roussel, Ph. ; Pantisano, L. ; Kauerauf, T. ; Groeseneken, G. ; Maes, H. E. ; Schwalke, Udo (2004)
Charge Trapping and Dielectric Reliability of SiO2/Al2O3 Gate Stacks with TiN Electrodes.
In: Microelectronic Engineering, 72 (1-4)
Artikel, Bibliographie

Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 2004
Autor(en): Kerber, Andreas ; Cartier, E. ; Degraeve, R. ; Roussel, Ph. ; Pantisano, L. ; Kauerauf, T. ; Groeseneken, G. ; Maes, H. E. ; Schwalke, Udo
Art des Eintrags: Bibliographie
Titel: Charge Trapping and Dielectric Reliability of SiO2/Al2O3 Gate Stacks with TiN Electrodes
Sprache: Englisch
Publikationsjahr: 2004
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: Microelectronic Engineering
Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: 72
(Heft-)Nummer: 1-4
URL / URN: http://dx.doi.org/10.1016/j.mee.2004.01.002
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik
Hinterlegungsdatum: 05 Jul 2011 06:31
Letzte Änderung: 26 Aug 2018 21:26
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