Endres, Ralf ; Stefanov, Yordan ; Schwalke, Udo (2006)
Damascene Metal Gate Technology for Gentle Integration of Crystalline High-K-Gate Dielectrics.
In: ECS Transactions, 3 (2)
Artikel, Bibliographie
URL / URN: http://dx.doi.org/10.1149/1.2356289
| Typ des Eintrags: | Artikel |
|---|---|
| Erschienen: | 2006 |
| Autor(en): | Endres, Ralf ; Stefanov, Yordan ; Schwalke, Udo |
| Art des Eintrags: | Bibliographie |
| Titel: | Damascene Metal Gate Technology for Gentle Integration of Crystalline High-K-Gate Dielectrics |
| Sprache: | Englisch |
| Publikationsjahr: | 3 November 2006 |
| Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | ECS Transactions |
| Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: | 3 |
| (Heft-)Nummer: | 2 |
| URL / URN: | http://dx.doi.org/10.1149/1.2356289 |
| Zusätzliche Informationen: | 210th Meeting of The Electrochemical Society, Cancun, Mexico, 29.10.-03.11.2006 |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik |
| Hinterlegungsdatum: | 27 Jun 2011 14:14 |
| Letzte Änderung: | 08 Mai 2024 09:07 |
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