Zaunert, Florian ; Endres, Ralf ; Schwalke, Udo (2007)
Device and Stress Simulation of MOSFETs with Crystalline High-k Gate-Dielectrics Manufactured with Replacement Gate Process.
In: Proceedings of Semiconductor Advances for Future Electronics (SAFE) 2007
Artikel, Bibliographie
| Typ des Eintrags: | Artikel |
|---|---|
| Erschienen: | 2007 |
| Autor(en): | Zaunert, Florian ; Endres, Ralf ; Schwalke, Udo |
| Art des Eintrags: | Bibliographie |
| Titel: | Device and Stress Simulation of MOSFETs with Crystalline High-k Gate-Dielectrics Manufactured with Replacement Gate Process |
| Sprache: | Englisch |
| Publikationsjahr: | 11 November 2007 |
| Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | Proceedings of Semiconductor Advances for Future Electronics (SAFE) 2007 |
| URL / URN: | http://www.stw.nl/NR/rdonlyres/298C269E-5F75-46AC-875E-ACF93... |
| Zusätzliche Informationen: | 10th Annual Workshop on Semiconductor Advances for Future Electronics and Sensors, Veldhoven, Niederlande, 29.-30.11.2007 |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik |
| Hinterlegungsdatum: | 20 Nov 2008 08:26 |
| Letzte Änderung: | 08 Mai 2024 09:10 |
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